题 目：新型SOI器件辐射损伤机理研究
主讲人：李 博 研究员
中科院硅器件技术重点实验室副主任
主持人：曹觉先 教授 博士生导师
湖南先进传感与信息技术创新研究院副院长
时 间：2021年10月13日（星期三）上午9：00
地 点：工程训练中心2号楼402会议室
报告人简介：李博，博士，研究员，中科院硅器件技术重点实验室副主任，中科院微电子研究所硅器件中心副主任，主要从事抗辐照器件技术研究工作。中科院青年创新促进会优秀会员，《现代应用物理》青年编委，欧洲辐射效应大会RADECS2021奖励委员会委员，“十四五”高技术元器件领域指南专家，IEEE TNS、IEEE TII等16本国内外著名期刊审稿人，出版科技图书3本，发表论文72篇，申请专利21项，承担国家和省部级项目（课题）15项。
报告摘要：基于全耗尽绝缘体上硅（Fully Depleted Silicon-on-Insulator，FDSOI）工艺，引入“可配置绝缘体上硅（Configurable-SOI，CSOI）”结构，通过在隐埋氧化层（BOX）下方引入独立的电极（配置层），可以实现对器件性能的有效控制。相比于传统FDSOI结构，CSOI结构具有背栅偏置调控范围大、调控粒度小等优点。此外，该结构还具有更少的PN结数量，因此拥有优于FDSOI的抗单粒子效应能力。基于CSOI结构可制作三维器件、X射线像素探测器等，研究成果可应用于深空探测、高能物理、武器无损探伤等领域。
湖南先进传感与信息技术创新研究院
2021年10月12日
