一、 个性实验室名称

低维半导体材料实验室

二、 实验室负责人及联系方式

郝国林15573263031

三、 实验室功能介绍

致力于晶圆级二维原子晶体与异质结等低维半导体的可控制备与表征、微纳传感器件的构筑与性能研究、基于原子力显微镜技术低维半导体材料的原位光电性能调控研究。

四、 主要仪器图片及功能介绍

仪器平台介绍：化学气相沉积系统，总价28.99万，该系统主要用于各种低维半导体纳米材料的可控制备，最高加热温度1200℃，可进行多段程序加热；配备低真空机组，真空度可达1Pa；配备的滑轨系统可进行样品的快速退火处理；石英管直径2英寸，可用于石墨烯、氮化硼、二硫化钼晶圆级二维原子晶体的可控制备。

五、实验室安全守则

1. 实验室工作人员负责检查和组织排除不安全隐患，确保实验室的安全。

2.实验室实验期间，工作人员需穿实验服，并佩戴护目镜与手套。

3.严禁个人私自在实验室使用电加热器、电炉子等高功率个人电器。

4.严禁在实验室里吸烟和动火。

5. 严禁私自拉线用电。

6.严禁非实验室工作人员在实验室逗留。

六、代表成果

1.本工作基于空间限域与基底诱导策略，成功实现了WS₂, WSe₂, MoSe₂, MoS₂, WS₂(1-x)Se_2x一维与二维纳米结构的选择性生长。通过基底诱导可实现纳米带宽度从数十纳米到数微米的有效调控，纳米带的长度则可达100微米。本工作提供了一种调控过渡金属硫属化合物纳米结构的普适策略，研究结果可为新型纳米材料的可控制备及其应用提供一定的实验依据。

G. L. Hao* et al.,Science Bulletin, 65, 1013-1021 (2020)（IF: 9.55，中科院一区顶级期刊）

2.本工作基于常压化学气相沉积法一步成功实现了高质量MoSe₂-MoS₂横向与垂直异质结的可控制备；通过控制前驱体浓度实现了MoSe₂/MoS₂异质结的成核及生长动力学过程的有效调控；基于高温退火工艺，在单层MoSe₂平面内外延生长出不同宽度的MoS₂纳米带。研究结果为可控生长二维横向和纵向TMD异质结提供一条新的合成途径，为其在光电及生物传感器件中的广泛应用提供了重要的材料保障。

G. L. Hao* et al.,The Journal of Physical Chemistry Letters, 10, 5027-5035 (2019)

（IF: 6.71，中科院一区顶级期刊，该工作被选为期刊封面进行重点报道）

3.基于盐辅助(NaCl)策略系统探索了MoSe₂纳米结构的可控制备，实现了MoSe₂二维纳米结构与一维纳米结构的可控生长并深入研究了其生长机制。研究表明盐的引入可以改变前驱体的反应路径，生长机制由Vapor-Solid生长机制转变为Vapor-Liquid-Solid生长机制，该策略也成功适用于WSe₂、WS₂体系中，研究结果为过渡金属硫属化合物纳米结构的可控制备提供了一条新的实验途径。

G. L. Hao* et al.,2D Materials, 6, 025002 (2019)

（IF: 7.14，中科院一区顶级期刊）